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Diodes

ZXMN3B04N8TA

MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO

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ZXMN3B04N8TA 器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    7.6 A
  • 額定電壓
    30 V
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    7.2 A
  • 輸入偏置電容@15V
    2.48 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    25 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@7.2A,4.5V
    25 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    25 mΩ
  • 柵源電壓
    12 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    700 mV
  • 柵極電荷@4.5V
    23.1 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    9 ns
  • 導(dǎo)通電阻
    25 mΩ
  • 功率耗散
    2 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    40 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    16.6 ns
  • 上升時(shí)間
    11.5 ns

Physical

  • 重量
    0.00261 oz
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    SO-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.5 mm
  • 長度
    5 mm
  • 寬度
    4 mm

ZXMN3B04N8TA 數(shù)據(jù)手冊

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  • ZXMN3B04N8TA
    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Element14
  • 1年前
    Huaqiu Chip

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