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      Vishay

      BPW34

      PHOTODIODE 790 TO 1050 NM

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      • 器件參數
      • EDA模型
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      BPW34 器件參數

      Function

      • 波長
        900 nm
      • 暗電流
        2 nA
      • 峰值波長(Min)
        430 nm
      • 峰值波長(Max)
        1100 nm
      • 峰值波長
        430 nm, 900 nm
      • 反向電壓
        60 V
      • 反向擊穿電壓
        60 V
      • 功率耗散
        215 mW
      • 擊穿電壓
        60 V
      • 下降時間
        100 ns
      • 上升時間
        100 ns

      Physical

      • 鏡頭樣式
        Clear
      • 觸點鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        2
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        100 °C
      • 工作溫度
        100 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 可視角度
        130 o
      • 包裝方式
        Bulk
      • 制造商封裝
        插件,P=5.1mm

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      Dimension

      • 高度
        2 mm
      • 長度
        4.5 mm
      • 寬度
        4.3 mm

      BPW34 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      BPW34 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • poYBAGPDwS6AZzfEAAG9N0NDMRs311.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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