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Infineon

IR2113STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

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IR2113STRPBF 器件參數

Function

  • 驅動配置
    半橋
  • 驅動器數量
    2
  • 通道類型
    Independent
  • 輸出端數量
    2
  • 輸出電流
    2.5 A
  • 輸出電壓
    10 V, 20 V
  • 負載類型
    MOSFET;IGBT
  • 類型
    IGBT, N通道 MOSFET
  • 電源電壓(Min)
    3.3 V
  • 電源電壓(Max)
    20 V
  • 電壓(Min)
    3.3 V
  • 電壓(Max)
    20 V
  • 接通延遲時間
    20 ns
  • 拓撲結構
    High Side & Low Side
  • 技術
    HVIC
  • 峰值脈沖電流
    2 A
  • 功率耗散
    1.25 W
  • 關閉延遲時間
    20 ns
  • 供電電流
    340 μA
  • 傳播延遲
    150 ns
  • 下降時間
    17 ns
  • 上升時間
    25 ns

Physical

  • 焊端樣式
    SMD
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    16
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -40 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數量
    1
  • 制造商封裝
    SOP-16-300mil

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    2.35 mm
  • 長度
    10.5 mm
  • 寬度
    7.6 mm

IR2113STRPBF EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

IR2113STRPBF 數據手冊

  • 文檔
    標題
    上傳于
    來源
  • poYBAGNOkGWAZVKIAAeYluz7Kac246.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

IR2113STRPBF 圖片

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  • Huaqiu Chip

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