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      Kodenshi

      KBT5401C

      晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):160V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):200mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):60@10mA,5V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

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      KBT5401C 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        600 mA
      • 集電極截止電流
        100 nA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@50mA,5mA
        500 mV
      • 轉(zhuǎn)換頻率
        100 MHz
      • 電流增益 hFE@10mA,5V
        60
      • 晶體管類型
        PNP
      • 功率耗散
        200 mW

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 制造商封裝
        SOT-23

      KBT5401C 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      KBT5401C 圖片