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      Infineon

      IDH12S60C

      2nd Generation ThinQ? SiC Schottky Diode, -55 to 175 degC, PG-TO220-2-1, Tube,Green

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      IDH12S60C 器件參數(shù)

      Function

      • 重復(fù)反向電壓
        600 V
      • 配置
        Single
      • 浪涌電流
        98 A
      • 正向電流
        12 A
      • 正向電壓
        1.7 V
      • 最大正向浪涌電流(Ifsm)
        98 A
      • 平均整流電流
        12 A
      • 峰值非重復(fù)浪涌電流
        98 A
      • 反向電壓
        600 V
      • 反向漏電流
        160 μA
      • 反向恢復(fù)時(shí)間
        0 s
      • 功率耗散
        115 W

      Physical

      • 引腳數(shù)
        2
      • 工作溫度
        -55 °C, 175 °C
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        500
      • 制造商封裝
        TO-220-2

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      IDH12S60C EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IDH12S60C 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • Rev. 2.1
        1年前
        Altium Library

      IDH12S60C 圖片