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Vishay

SI4931DY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

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SI4931DY-T1-GE3 器件參數(shù)

Function

  • 配置
    Dual
  • 通道數(shù)量
    2
  • 連續(xù)漏極電流
    6.7 A
  • 類型
    2個(gè)P溝道
  • 漏源電阻
    18 mΩ
  • 漏源電壓
    12 V
  • 漏源極擊穿電壓
    -12 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@4.5V,8.9A
    18 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    18 mΩ
  • 柵源電壓
    8 V
  • 柵源極閾值電壓@350uA
    1 V
  • 柵極電荷@4.5V
    52 nC
  • 晶體管類型
    2個(gè)P溝道(雙)
  • 接通延遲時(shí)間
    25 ns
  • 功率耗散
    1.1 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    230 ns
  • 元件數(shù)量
    2
  • 下降時(shí)間
    155 ns
  • 上升時(shí)間
    46 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 重量
    0.006596 oz
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    SOIC-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free

Dimension

  • 高度
    1.55 mm
  • 長(zhǎng)度
    5 mm
  • 寬度
    4 mm

SI4931DY-T1-GE3 EDA模型

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型
下載zip

SI4931DY-T1-GE3 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Future
  • SI4931DY-T1-GE3
    1年前
    Huaqiu Chip

SI4931DY-T1-GE3 圖片

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