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ON Semiconductor

FDG6303N

MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88

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FDG6303N 器件參數

Function

  • 額定電流
    500 mA
  • 額定電壓
    25 V
  • 閾值電壓
    800 mV
  • 閘/源截止電壓
    800 mV
  • 配置
    Dual
  • 連續漏極電流
    1.5 A
  • 輸入偏置電容@10V
    50 pF
  • 類型
    2個N溝道
  • 漏源電阻
    450 mΩ
  • 漏源電壓
    25 V
  • 漏源極擊穿電壓
    25 V
  • 漏源導通電阻@500mA,4.5V
    450 mΩ
  • 漏源導通電阻
    450 mΩ
  • 柵源電壓
    8 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    1.5 V
  • 柵極電荷@4.5V
    2.3 nC
  • 晶體管類型
    2個N溝道(雙)
  • 接通延遲時間
    3 ns
  • 功率耗散
    300 mW
  • 擊穿電壓
    25 V
  • 關閉延遲時間
    17 ns
  • 元件數量
    2
  • 下降時間
    8.5 ns
  • 上升時間
    8.5 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 配置
    Dual
  • 觸點鍍層
    Tin
  • 焊端樣式
    SMD
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    6
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數量
    1
  • 制造商封裝
    SC-70-6

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1 mm
  • 長度
    2 mm
  • 寬度
    1.25 mm

FDG6303N 數據手冊

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    標題
    上傳于
    來源
  • FDG6303N
    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

FDG6303N 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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