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      ON Semiconductor

      FQU3N60CTU

      Power MOSFET, N-Channel, QFET?, 600 V, 2.4 A, 3.4 ?, IPAK

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      FQU3N60CTU 器件參數

      Function

      • 額定電流
        2.4 A
      • 額定電壓
        600 V
      • 閾值電壓
        4 V
      • 配置
        Single
      • 連續漏極電流
        2.4 A
      • 輸入偏置電容
        565 pF
      • 漏源電阻
        3.6 Ω
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源極擊穿電壓
        600 V
      • 漏源導通電阻
        3.4 Ω
      • 柵源電壓
        30 V
      • 柵極電荷@10V
        14 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 功率耗散
        2.5 W, 50 W
      • 關閉延遲時間
        20 ns
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        30 ns
      • 上升時間
        30 ns

      Physical

      • 引腳數
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數量
        70
      • 制造商封裝
        TO-251-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      FQU3N60CTU EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      FQU3N60CTU 數據手冊

      FQU3N60CTU 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Farnell

        Farnell