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      Rohm

      RQ1A060ZPTR

      MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

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      RQ1A060ZPTR 器件參數

      Function

      • 配置
        Single
      • 通道數量
        1
      • 連續漏極電流
        6 A
      • 輸入偏置電容@6V
        2.8 nF
      • 類型
        P溝道
      • 漏源電阻
        16 mΩ
      • 漏源電壓
        12 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -12 V
      • 漏源導通電阻@6A,4.5V
        23 mΩ
      • 漏源導通電阻
        23 mΩ
      • 柵源電壓
        10 V
      • 柵源極閾值電壓@1mA
        1 V
      • 柵極電荷@4.5V
        34 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時間
        12 ns
      • 反向傳輸電容@6V
        310 pF
      • 功率耗散
        1.5 W
      • 關閉延遲時間
        400 ns
      • 下降時間
        230 ns
      • 上升時間
        105 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        8
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TSMT-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      RQ1A060ZPTR EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      RQ1A060ZPTR 數據手冊

      • 文檔
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      • 1年前
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