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      NXP Semiconductors

      BFU550XAR

      RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B

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      BFU550XAR 器件參數

      Function

      • 頻率
        900 MHz
      • 集電極電流
        15 mA
      • 集電極截止電流
        1 nA
      • 集電極-基極電壓
        24 V
      • 集電極-發射極電壓
        16 V
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        12 V
      • 配置
        Dual
      • 轉換頻率
        11 GHz
      • 電流增益 hFE@15mA,8V
        95
      • 極性
        NPN
      • 晶體管類型
        NPN
      • 增益帶寬乘積
        11 GHz
      • 增益
        21.5 dB
      • 發射極 - 基極電壓
        2 V
      • 功率耗散
        450 mW
      • 擊穿電壓
        12 V

      Physical

      • 觸點鍍層
        Tin
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOT-143

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      BFU550XAR EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      BFU550XAR 數據手冊

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        標題
        上傳于
        來源
      • BFU550XAR
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      BFU550XAR 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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