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      3天內不再提示

      Infineon

      BC858BE6327HTSA1

      Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23

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      BC858BE6327HTSA1 器件參數

      Function

      • 額定電流
        -100 mA
      • 額定電壓
        -30 V
      • 集電極電流
        100 mA
      • 集電極截止電流
        15 nA
      • 集電極發射極飽和電壓
        650 mV
      • 集電極-發射極電壓
        650 mV
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        30 V
      • 轉換頻率
        250 MHz
      • 電流增益 hFE
        220
      • 極性
        PNP (Single)
      • 晶體管類型
        PNP
      • 功率耗散
        330 mW
      • 擊穿電壓
        30 V

      Physical

      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOT-23

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • 無鹵素
        no

      BC858BE6327HTSA1 數據手冊

      BC858BE6327HTSA1 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Digikey

        Digikey