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      ON Semiconductor

      HGTG5N120BND

      IGBT NPT 1200V 21A TO247-3

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      HGTG5N120BND 器件參數

      Function

      • 額定電流
        21 A
      • 額定電壓
        1.2 V, 1.2 kV
      • 集電極電流
        21 A
      • 集電極發射極飽和電壓
        2.45 V
      • 集電極-發射極電壓
        1.2 kV
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        1200 V
      • 配置
        Single
      • 類型
        NPT
      • 柵極電荷
        53 nC
      • 晶體管類型
        NPT
      • 反向恢復時間
        65 ns
      • 功率耗散
        167 W
      • 擊穿電壓
        600 V

      Physical

      • 重量
        0.225401 oz
      • 觸點鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        3
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數量
        30
      • 制造商封裝
        TO-247-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      HGTG5N120BND EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      HGTG5N120BND 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • poYBAGMFNyKAXzzCAASftCJoHWw120.pdf
        1年前
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