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Infineon

IRLR8726TRLPBF

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

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IRLR8726TRLPBF 器件參數(shù)

Function

  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    86 A
  • 輸入偏置電容@15V
    2.15 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    5.8 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,25A
    5.8 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    5.8 mΩ
  • 柵源電壓
    12 V
  • 柵源極閾值電壓@50uA
    2.35 V
  • 柵極電荷@4.5V
    23 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    12 ns
  • 反向傳輸電容
    205 pF
  • 功率耗散
    75 W
  • 擊穿電壓
    30 V
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    15 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    16 ns
  • 上升時(shí)間
    49 ns

Physical

  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    TO-252-2(DPAK)

Compliance

  • 無鉛
    Yes
  • RoHS
    yes

Dimension

  • 高度
    2.26 mm
  • 長度
    6.73 mm
  • 寬度
    6.22 mm

IRLR8726TRLPBF EDA模型

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型
下載zip

IRLR8726TRLPBF 數(shù)據(jù)手冊

  • 文檔
    標(biāo)題
    上傳于
    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

IRLR8726TRLPBF 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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