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      Rohm

      RT1A050ZPTR

      MOSFET P-CH 12V 5A 8TSST

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      RT1A050ZPTR 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        5 A
      • 輸入偏置電容
        2.8 nF
      • 類(lèi)型
        P溝道
      • 漏源電阻
        26 mΩ
      • 漏源電壓
        12 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -12 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@4.5V,5A
        26 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        26 mΩ
      • 柵源電壓
        10 V
      • 柵源極閾值電壓@1mA
        1 V
      • 柵極電荷@4.5V
        34 nC
      • 晶體管類(lèi)型
        P溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        12 ns
      • 功率耗散
        600 mW
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        410 ns
      • 下降時(shí)間
        220 ns
      • 上升時(shí)間
        95 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TSST-8

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Lead Free

      RT1A050ZPTR 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
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      • 1年前
        Huaqiu Chip

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