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      Infineon

      IPP083N10N5AKSA1

      MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3

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      IPP083N10N5AKSA1 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        73 A
      • 輸入偏置電容@50V
        2.73 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        11 mΩ
      • 漏源電壓
        100 V
      • 漏源極擊穿電壓
        100 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@73A,10V
        8.3 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        8.3 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@49uA
        3.8 V
      • 柵極電荷@10V
        37 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        13 ns
      • 功率耗散
        100 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        21 ns
      • 下降時(shí)間
        5 ns
      • 上升時(shí)間
        5 ns

      Physical

      • 重量
        0.211644 oz
      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        500
      • 制造商封裝
        TO-220-3

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Lead Free
      • RoHS
        yes

      IPP083N10N5AKSA1 EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IPP083N10N5AKSA1 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • poYBAGNXEZWAXL0VABpNY6VGKdc173.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      IPP083N10N5AKSA1 圖片

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