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      ON Semiconductor

      QSE114

      SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD

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      QSE114 器件參數

      Function

      • 額定電流
        5 mA
      • 額定電壓
        30 V, 5 V
      • 額定功率
        100 mW
      • 集電極發射極飽和電壓
        400 mV
      • 集電極-發射極電壓
        5 V
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        30 V
      • 通道數量
        1
      • 輸出電壓
        30 V
      • 電源電壓
        5 V
      • 波長
        880 nm
      • 極性
        NPN
      • 暗電流
        100 nA
      • 晶體管類型
        NPN
      • 峰值波長
        880 nm
      • 功率耗散
        100 mW
      • 功率消耗
        100 mW
      • 擊穿電壓
        30 V
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        8 μs
      • 上升時間
        8 μs

      Physical

      • 鏡頭樣式
        Domed
      • 重量
        0.004762 oz
      • 方向
        Side View
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        2
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        100 °C
      • 工作溫度
        100 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 可視角度
        25 o
      • 包裝方式
        Bulk
      • 包裝數量
        500
      • 制造商封裝
        插件,L=4.4mm

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Pb-free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        5.08 mm
      • 長度
        4.44 mm
      • 寬度
        2.54 mm

      QSE114 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      QSE114 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      QSE114 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Digikey

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