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      STMicroelectronics

      STP20N65M5

      MOSFET N-CH 650V 18A TO220

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      STP20N65M5 器件參數

      Function

      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        18 A
      • 輸入偏置電容@100V
        1.345 nF
      • 類型
        N溝道
      • 等級
        Industrial
      • 漏源電阻
        190 mΩ
      • 漏源電壓
        650 V
      • 漏源極擊穿電壓
        650 V
      • 漏源導通電阻@9A,10V
        190 mΩ
      • 漏源導通電阻
        190 mΩ
      • 柵源電壓
        25 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        5 V
      • 柵極電荷@10V
        45 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        43 ns
      • 反向傳輸電容
        3.7 pF
      • 功率耗散
        130 W
      • 擊穿電壓
        650 V
      • 關閉延遲時間
        43 ns
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        7.5 ns
      • 上升時間
        7.5 ns

      Physical

      • 引腳數
        3
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數量
        50
      • 制造商封裝
        TO-220

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      Dimension

      • 高度
        15.75 mm
      • 長度
        10.4 mm
      • 寬度
        4.6 mm

      STP20N65M5 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • STP20N65M5
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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        Huaqiu Chip

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