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      ON Semiconductor

      SI4542DY

      Mosfet Array 30V 6A 1W Surface Mount 8-SOIC

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      SI4542DY 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        7 A
      • 額定電壓
        30 V
      • 閾值電壓
        1.5 V
      • 閘/源截止電壓
        1.5 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        6 A
      • 輸入偏置電容
        830 pF
      • 漏源電阻
        28 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        30 V
      • 漏源導通電阻
        28 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@5V
        13 nC
      • 晶體管類型
        N溝道和P溝道互補型
      • 功率耗散
        1 W, 2 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        47 ns
      • 元件數(shù)量
        2
      • 下降時間
        18 ns
      • 上升時間
        22 ns
      • FET功能
        標準

      Physical

      • 端子間距
        1.27 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 175 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SO-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        1.575 mm
      • 長度
        4.9 mm
      • 寬度
        3.9 mm

      SI4542DY EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      SI4542DY 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Digikey
      • SI4542DY
        1年前
        Huaqiu Chip

      SI4542DY 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip