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      Vishay

      SI2301BDS-T1-E3

      MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

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      SI2301BDS-T1-E3 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        -950 mV
      • 閘/源截止電壓
        -950 mV
      • 配置
        Single
      • 通道數量
        1
      • 連續漏極電流
        2.2 A
      • 輸入偏置電容
        375 pF
      • 漏源電阻
        100 mΩ
      • 漏源電壓
        20 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -20 V
      • 漏源導通電阻
        100 mΩ
      • 柵源電壓
        8 V
      • 柵極電荷@4.5V
        10 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時間
        20 ns
      • 反向傳輸電容
        65 pF
      • 功率耗散
        700 mW
      • 擊穿電壓
        20 V
      • 關閉延遲時間
        30 ns
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        40 ns
      • 上升時間
        40 ns

      Physical

      • 重量
        0.050717 oz
      • 端子間距
        1.9 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數量
        1
      • 制造商封裝
        SOT-23(TO-236)

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      Dimension

      • 高度
        1.02 mm
      • 長度
        3.04 mm
      • 寬度
        1.4 mm

      SI2301BDS-T1-E3 數據手冊

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        來源
      • SI2301BDS-T1-E3
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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      • Huaqiu Chip

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