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      3天內不再提示

      Vishay

      SQJ488EP-T2_BE3

      MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8

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      SQJ488EP-T2_BE3 器件參數

      Function

      • 連續漏極電流
        42 A
      • 輸入偏置電容@50V
        978 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        100 V
      • 漏源導通電阻@7.1A,10V
        21 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        2.5 V
      • 柵極電荷@10V
        27 nC
      • 晶體管類型
        N-Channel
      • 功率耗散
        83 W

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        PowerPAK-SO-8

      Compliance

      • 無鉛
        Y

      SQJ488EP-T2_BE3 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      SQJ488EP-T2_BE3 數據手冊

      SQJ488EP-T2_BE3 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Digikey

        Digikey