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      STMicroelectronics

      STWA57N65M5

      MOSFET N-CH 650V 42A TO247

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      STWA57N65M5 器件參數

      Function

      • 配置
        Single
      • 連續漏極電流
        42 A
      • 輸入偏置電容@100V
        4.2 nF
      • 類型
        N溝道
      • 等級
        Industrial
      • 漏源電阻
        56 mΩ
      • 漏源電壓
        650 V
      • 漏源極擊穿電壓
        650 V
      • 漏源導通電阻@10V,21A
        56 mΩ
      • 漏源導通電阻
        63 mΩ
      • 柵源電壓
        25 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        4 V
      • 柵極電荷@10V
        98 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        73 ns
      • 反向傳輸電容@100V
        9 pF
      • 功率耗散
        250 W
      • 關閉延遲時間
        19 ns
      • 下降時間
        12 ns
      • 上升時間
        15 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數量
        30
      • 制造商封裝
        TO-247-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      STWA57N65M5 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      STWA57N65M5 數據手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • STWA57N65M5
        1年前
        Huaqiu Chip

      STWA57N65M5 圖片

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