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      Diodes

      ZXMC10A816N8TC

      MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC

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      ZXMC10A816N8TC 器件參數

      Function

      • 通道數量
        2
      • 連續漏極電流
        2 A
      • 輸入偏置電容
        497 pF
      • 類型
        1個N溝道和1個P溝道
      • 漏源電阻
        235 mΩ
      • 漏源電壓
        100 V
      • 漏源極擊穿電壓
        100 V
      • 漏源導通電阻@10V,1A
        230 mΩ
      • 漏源導通電阻
        230 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        2.4 V
      • 柵極電荷@10V
        9.2 nC
      • 晶體管類型
        N溝道和P溝道互補型
      • 接通延遲時間
        4.3 ns
      • 功率耗散
        1.8 W, 2.1 W
      • 關閉延遲時間
        20 ns
      • 元件數量
        2
      • 下降時間
        12 ns
      • 上升時間
        5.2 ns
      • FET功能
        邏輯電平門

      Physical

      • 重量
        0.00261 oz
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOP-8

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        1.5 mm
      • 長度
        4.95 mm
      • 寬度
        3.95 mm

      ZXMC10A816N8TC EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      ZXMC10A816N8TC 數據手冊

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        來源
      • ZXMC10A816N8TC
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      ZXMC10A816N8TC 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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