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      Vishay

      IRL640STRLPBF

      MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK

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      IRL640STRLPBF 器件參數

      Function

      • 配置
        Single
      • 通道數量
        1
      • 連續漏極電流
        17 A
      • 輸入偏置電容@25V
        1.8 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        180 mΩ
      • 漏源電壓
        200 V
      • 漏源極擊穿電壓
        200 V
      • 漏源導通電阻@10A,5V
        180 mΩ
      • 漏源導通電阻
        2.7 mΩ
      • 柵源電壓
        10 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        2 V
      • 柵極電荷@5V
        66 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        8 ns
      • 功率耗散
        125 W, 3.1 W
      • 關閉延遲時間
        44 ns
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        52 ns
      • 上升時間
        83 ns

      Physical

      • 重量
        0.050717 oz
      • 觸點鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數量
        1
      • 制造商封裝
        TO-263-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      Dimension

      • 高度
        4.83 mm
      • 長度
        10.67 mm
      • 寬度
        9.65 mm

      IRL640STRLPBF EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IRL640STRLPBF 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • IRL640STRLPBF
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      IRL640STRLPBF 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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