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      Rohm

      R6030KNZ1C9

      Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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      R6030KNZ1C9 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        5 V
      • 連續(xù)漏極電流
        30 A
      • 輸入偏置電容@25V
        2.35 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,14.5A
        115 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@1mA
        5 V
      • 柵極電荷@10V
        56 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 反向傳輸電容@25V
        140 pF
      • 功率耗散
        305 W

      Physical

      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 制造商封裝
        TO-247-3

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      R6030KNZ1C9 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Element14

      R6030KNZ1C9 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip