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ON Semiconductor

2SC5551AF-TD-E

RF Transistor, 30 V, 300 mA, fT=3.5 GHz, NPN Single, 3-Pin SOT-89, Pb-Free, Tape and Reel

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2SC5551AF-TD-E 器件參數(shù)

Function

  • 頻率
    3.5 GHz
  • 集電極電流
    300 mA
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓
    300 mV
  • 集電極-基極電壓
    40 V
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    30 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    30 V
  • 配置
    Single
  • 轉(zhuǎn)換頻率
    3.5 GHz
  • 電流增益 hFE@50mA,5V
    135
  • 極性
    NPN
  • 晶體管類型
    NPN
  • 發(fā)射極 - 基極電壓
    2 V
  • 功率耗散
    1.3 W
  • 擊穿電壓
    30 V

Physical

  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOT89-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes

Dimension

  • 高度
    1.5 mm
  • 長度
    4.5 mm
  • 寬度
    2.5 mm

2SC5551AF-TD-E EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

2SC5551AF-TD-E 數(shù)據(jù)手冊

  • 文檔
    標(biāo)題
    上傳于
    來源
  • 1年前
    Altium Library
  • 2SC5551AF-TD-E
    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

2SC5551AF-TD-E 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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