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      ON Semiconductor

      NSVBA114EDXV6T1G

      TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6

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      NSVBA114EDXV6T1G 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        100 mA
      • 集電極截止電流
        500 nA
      • 集電極發射極飽和電壓
        250 mV
      • 集電極-發射極電壓
        250 mV
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        50 V
      • 電流增益 hFE@5mA，10V
        35
      • 極性
        Dual PNP
      • 晶體管類型
        2個PNP-預偏置
      • 功率耗散
        500 mW

      Physical

      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOT-563

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      NSVBA114EDXV6T1G EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      NSVBA114EDXV6T1G 數據手冊

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      • 1年前
        Farnell
      • NSVBA114EDXV6T1G
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      NSVBA114EDXV6T1G 圖片

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