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      STMicroelectronics

      STD3N80K5

      MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK

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      STD3N80K5 器件參數

      Function

      • 配置
        Single
      • 通道數量
        1
      • 連續漏極電流
        2.5 A
      • 輸入偏置電容@100V
        130 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        2.8 Ω
      • 漏源電壓
        800 V
      • 漏源極擊穿電壓
        800 V
      • 漏源導通電阻@10V,1A
        3.5 Ω
      • 漏源導通電阻
        3.5 Ω
      • 柵源電壓
        30 V
      • 柵源極閾值電壓@100uA
        5 V
      • 柵極電荷@10V
        9.5 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        8.5 ns
      • 功率耗散
        60 W
      • 關閉延遲時間
        20.5 ns
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        25 ns
      • 上升時間
        7.5 ns

      Physical

      • 重量
        0.139332 oz
      • 觸點鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        3
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數量
        1
      • 制造商封裝
        TO-252

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      Dimension

      • 高度
        2.4 mm
      • 長度
        6.6 mm
      • 寬度
        6.2 mm

      STD3N80K5 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      STD3N80K5 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • STD3N80K5
        1年前
        Huaqiu Chip

      STD3N80K5 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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