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      ON Semiconductor

      NVD5C688NLT4G

      MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK

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      NVD5C688NLT4G 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        17 A
      • 輸入偏置電容@25V
        400 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        60 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10A,10V
        27.4 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        2.1 V
      • 柵極電荷@4.5V
        3.4 nC
      • 功率耗散
        18 W

      Physical

      • 配置
        Single
      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 制造商封裝
        TO-252

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
      • RoHS
        Yes

      NVD5C688NLT4G 數(shù)據(jù)手冊

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      • NVD5C688NLT4G
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      NVD5C688NLT4G 圖片

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