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      ON Semiconductor

      QTLP610CPDTR

      SENSOR PHOTO 860NM SIDE VIEW SMD

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      QTLP610CPDTR 器件參數

      Function

      • 額定電流
        3.5 mA
      • 額定電壓
        5 V
      • 額定功率
        75 mW
      • 集電極發射極飽和電壓
        400 mV
      • 集電極-發射極電壓
        30 V
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        30 V
      • 通道數量
        1
      • 波長
        860 nm
      • 極性
        NPN
      • 暗電流
        100 nA
      • 功率耗散
        75 mW
      • 擊穿電壓
        30 V
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        15 μs
      • 上升時間
        15 μs

      Physical

      • 鏡片顏色
        Clear
      • 鏡頭樣式
        Domed
      • 重量
        0.00454 oz
      • 方向
        Side View
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        2
      • 工作溫度
        -25 °C, 85 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 可視角度
        160 o
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SMD-3P,1x3mm

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Pb-free

      Dimension

      • 高度
        1.1 mm
      • 長度
        3.2 mm
      • 寬度
        2.2 mm

      QTLP610CPDTR EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      QTLP610CPDTR 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • pYYBAGPEgbGAXFZtACJIcXNRI68284.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      QTLP610CPDTR 圖片

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