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      Infineon

      SGP30N60HS

      High Speed IGBT in NPT-Technology, PG-TO220-3-1, Tube, Green

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      SGP30N60HS 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        41 A
      • 集電極-發射極電壓
        600 V
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        600 V
      • 配置
        Single
      • 極性
        NPN
      • 功率耗散
        250 W, 250 mW

      Physical

      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數量
        500
      • 制造商封裝
        TO-220-3

      Compliance

      • 無鹵素
        Halogen Free

      SGP30N60HS EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      SGP30N60HS 數據手冊

      SGP30N60HS 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Farnell

        Farnell