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      3天內不再提示

      STMicroelectronics

      STP34N65M5

      MOSFET N-CH 650V 28A TO220

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      STP34N65M5 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        28 A
      • 輸入偏置電容
        2.7 nF
      • 漏源電阻
        110 mΩ
      • 漏源電壓
        650 V
      • 漏源極擊穿電壓
        650 V
      • 漏源導通電阻
        110 mΩ
      • 柵源電壓
        25 V
      • 柵極電荷
        62.5 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        59 ns
      • 功率耗散
        190 W
      • 關閉延遲時間
        59 ns
      • 元件數(shù)量
        1

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        50
      • 制造商封裝
        TO-220

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      Dimension

      • 高度
        15.75 mm
      • 長度
        10.4 mm
      • 寬度
        4.6 mm

      STP34N65M5 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      STP34N65M5 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
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      • 1年前
        Future
      • STP34N65M5
        1年前
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