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Vishay

4N33

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

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4N33 器件參數(shù)

Function

  • 集電極發(fā)射極飽和電壓
    1 V
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    30 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    30 V
  • 隔離電壓
    5.3 kV
  • 通道數(shù)量
    1
  • 輸出電流
    100 mA
  • 輸出電壓
    30 V
  • 輸入類型
    DC
  • 輸入電流
    50 mA, 60 mA
  • 電流傳遞比
    500 %
  • 每個通道的輸出電流
    100 mA
  • 正向電流
    60 mA
  • 正向電壓
    1.5 V
  • 接通延遲時間
    5 μs
  • 批準
    UL
  • 反向電壓
    3 V
  • 反向擊穿電壓
    6 V
  • 功率耗散
    250 mW
  • 元件數(shù)量
    1
  • 上升時間
    5 μs

Physical

  • 觸點鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    6
  • 工作溫度
    -55 °C, 100 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 制造商封裝
    DIP-6

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown

4N33 EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

4N33 數(shù)據(jù)手冊

  • 文檔
    標題
    上傳于
    來源
  • 364009ff4ddcfc9e748a5877527db429.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip
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    Huaqiu Chip

4N33 圖片

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