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      ON Semiconductor

      NST847BPDP6T5G

      Dual Complementary General Purpose Transistors, 6-Pin SOT-963, Pb-Free, Tape and Reel

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      NST847BPDP6T5G 器件參數(shù)

      Function

      • 頻率
        100 MHz
      • 集電極電流
        100 mA
      • 集電極截止電流
        15 nA
      • 集電極-基極電壓
        50 V
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        45 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        45 V
      • 配置
        Dual
      • 轉(zhuǎn)換頻率
        100 MHz
      • 晶體管類型
        NPN,PNP
      • 增益帶寬乘積
        100 MHz
      • 發(fā)射極 - 基極電壓
        6 V
      • 功率耗散
        420 mW
      • 元件數(shù)量
        2

      Physical

      • 觸點鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        6
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOT-963

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      NST847BPDP6T5G EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      NST847BPDP6T5G 數(shù)據(jù)手冊

      NST847BPDP6T5G 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip