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      Infineon

      IPU80R2K0P7AKMA1

      MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3

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      IPU80R2K0P7AKMA1 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        3.5 V
      • 連續漏極電流
        3 A
      • 輸入偏置電容@500V
        175 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        800 V
      • 漏源導通電阻@940mA,10V
        2 Ω
      • 柵源極閾值電壓@50uA
        3.5 V
      • 柵極電荷@10V
        9 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 功率耗散
        24 W

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        TO-251-3

      Compliance

      • 無鉛
        Y
      • RoHS
        yes

      IPU80R2K0P7AKMA1 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IPU80R2K0P7AKMA1 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • INFN-S-A0004583970-1.pdf
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        Huaqiu Chip
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        Huaqiu Chip
      • 1年前
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