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      Vishay

      SI2307BDS-T1-GE3

      MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

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      SI2307BDS-T1-GE3 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        2.5 A
      • 輸入偏置電容@15V
        380 pF
      • 類型
        P溝道
      • 漏源電阻
        78 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -30 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,3.2A
        78 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        78 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        3 V
      • 柵極電荷@10V
        15 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時間
        9 ns
      • 功率耗散
        750 mW
      • 關(guān)閉延遲時間
        25 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        12 ns
      • 上升時間
        12 ns

      Physical

      • 重量
        0.050717 oz
      • 端子間距
        1.9 mm
      • 焊端樣式
        SMD
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOT-23(TO-236)

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        1.02 mm
      • 長度
        3.04 mm
      • 寬度
        1.4 mm

      SI2307BDS-T1-GE3 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      SI2307BDS-T1-GE3 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Future
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • SI2307BDS-T1-GE3
        1年前
        Huaqiu Chip

      SI2307BDS-T1-GE3 圖片

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