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      ON Semiconductor

      1N457

      DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35

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      1N457 器件參數

      Function

      • 額定電流
        200 mA
      • 額定電壓
        70 V
      • 重復反向電壓
        70 V
      • 配置
        Single
      • 輸出電流
        200 mA
      • 浪涌電流
        4 A
      • 正向電流
        200 mA
      • 正向電壓@20m
        1 V
      • 極性
        Standard
      • 最大正向浪涌電流(Ifsm)
        4 A
      • 平均整流電流
        200 mA
      • 峰值非重復浪涌電流
        4 A
      • 容值
        8 pF
      • 反向電壓
        70 V
      • 反向漏電流@60V
        25 nA
      • 功率耗散
        500 mW

      Physical

      • 重量
        10 mlb
      • 配置
        Single
      • 觸點鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        2
      • 工作溫度
        -65 °C, 175 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Bulk
      • 制造商封裝
        DO-35

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        0.25 in
      • 長度
        0.25 in
      • 寬度
        0.25 in

      1N457 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      1N457 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      1N457 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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