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      STMicroelectronics

      STD9NM60N

      MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK

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      STD9NM60N 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        3 V
      • 連續漏極電流
        6.5 A
      • 輸入偏置電容@50V
        452 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        745 mΩ
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源極擊穿電壓
        600 V
      • 漏源導通電阻@3.25A,10V
        745 mΩ
      • 漏源導通電阻
        745 mΩ
      • 柵源電壓
        25 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        4 V
      • 柵極電荷@10V
        17.4 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        28 ns
      • 功率耗散
        70 W
      • 關閉延遲時間
        52.5 ns
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        26.7 ns
      • 上升時間
        23 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TO-252

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        2.4 mm
      • 長度
        6.6 mm
      • 寬度
        6.2 mm

      STD9NM60N EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      STD9NM60N 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • STD9NM60N
        1年前
        Huaqiu Chip

      STD9NM60N 圖片

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