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      ON Semiconductor

      FDMS86263P

      MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN

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      FDMS86263P 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        4 V
      • 配置
        Single
      • 通道數(shù)量
        2
      • 連續(xù)漏極電流
        22 A
      • 輸入偏置電容
        3.905 nF
      • 類型
        P溝道
      • 漏源電阻
        43 mΩ
      • 漏源電壓
        150 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -150 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,4.4A
        53 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        53 mΩ
      • 柵源電壓
        25 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        4 V
      • 柵極電荷
        63 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        17 ns
      • 功率耗散
        104 W
      • 擊穿電壓
        150 V
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        37 ns
      • 下降時(shí)間
        14 ns
      • 上升時(shí)間
        10 ns

      Physical

      • 重量
        0.002402 oz
      • 配置
        Single
      • 觸點(diǎn)鍍層
        Tin
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        DFN-8(4.9x5.8)

      Compliance

      • 無鉛
        Yes
      • RoHS
        Yes

      Dimension

      • 高度
        1.05 mm
      • 長度
        5 mm
      • 寬度
        5.85 mm

      FDMS86263P 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • FDMS86263P
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      FDMS86263P 圖片

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