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      KEC

      KTC9013S-H-RTK/P

      晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):30V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):350mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@100mA,10mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):96@50mA,1V;特征頻率(fT):140MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

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      KTC9013S-H-RTK/P 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        500 mA
      • 集電極截止電流
        100 nA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@100mA,10mA
        100 mV
      • 轉換頻率
        140 MHz
      • 電流增益 hFE@50mA,1V
        96
      • 晶體管類型
        NPN
      • 功率耗散
        350 mW

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 制造商封裝
        SOT-23

      KTC9013S-H-RTK/P 數(shù)據(jù)手冊

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        標題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      KTC9013S-H-RTK/P 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip