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      ON Semiconductor

      HN1B01FDW1T1G

      Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistors, PNP and NPN Surface Mount, 6-Pin SC-74, Pb-Free, Tape and Reel

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      HN1B01FDW1T1G 器件參數

      Function

      • 額定電流
        200 mA
      • 額定電壓
        -60 V
      • 集電極電流
        200 mA
      • 集電極發射極飽和電壓
        -150 mV
      • 集電極-基極電壓
        60 V
      • 集電極-發射極電壓
        50 V
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        50 V
      • 配置
        Dual
      • 電流增益 hFE
        200
      • 晶體管類型
        NPN,PNP
      • 發射極 - 基極電壓
        7 V
      • 功率耗散
        380 mW
      • 元件數量
        2

      Physical

      • 觸點鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        6
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SC-74

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      Dimension

      • 高度
        1.1 mm
      • 長度
        3.1 mm
      • 寬度
        1.7 mm

      HN1B01FDW1T1G EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      HN1B01FDW1T1G 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • Rev. 3
        1年前
        Altium Library
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • HN1B01FDW1T1G
        1年前
        Huaqiu Chip

      HN1B01FDW1T1G 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip