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      Texas Instruments (TI)

      LF356N/NOPB

      IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP

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      LF356N/NOPB 器件參數

      Function

      • 通道數量
        1
      • 輸出電流
        25 mA
      • 輸入偏置電流
        200 pA
      • 輸入偏置電壓
        10 mV
      • 電源電壓(Min)
        5 V
      • 電源抑制比(PSRR)
        80 dB
      • 電壓增益
        106.02 dB
      • 每個通道的靜態電流
        5 mA
      • 放大器類型
        J-FET
      • 放大器數量
        1
      • 建立時間
        1.5 μs
      • 帶寬
        5 MHz
      • 增益帶寬乘積
        5 MHz
      • 回路數量
        1
      • 壓擺率
        12 V/μs
      • 功率耗散
        670 mW
      • 共模抑制比
        80 dB
      • 元件數量
        1
      • 供電電流
        5 mA

      Physical

      • 重量
        10 mlb
      • 端子間距
        2.54 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        8
      • 工作溫度
        70 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數量
        40
      • 制造商封裝
        DIP-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        3.3 mm
      • 長度
        9.27 mm
      • 寬度
        6.35 mm

      LF356N/NOPB EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      LF356N/NOPB 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • LF155, LF156, LF256, LF257 LF355, LF356, LF357-TI.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      LF356N/NOPB 圖片

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