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      ON Semiconductor

      NTD360N80S3Z

      MOSFET N-CH 800V 13A DPAK

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      Function

      • 連續漏極電流
        13 A
      • 輸入偏置電容@400V
        1.143 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        800 V
      • 漏源導通電阻@10V,6.5A
        300 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@0.3mA
        3.8 V
      • 柵極電荷@10V
        25.3 nC
      • 功率耗散
        96 W

      Physical

      • 配置
        Single
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 制造商封裝
        TO-252

      Compliance

      • 無鉛
        Y
      • RoHS
        Yes

      NTD360N80S3Z 數據手冊

      NTD360N80S3Z 圖片

      • Element14

        Element14

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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      • Future

        Future