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      ON Semiconductor

      NSS12200WT1G

      12 V, 2 A, Low VCE(sat), PNP Transistor, 6-Pin SOT-363, Pb-Free, Tape and Reel

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      NSS12200WT1G 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        -2 A
      • 額定電壓
        -12 V
      • 頻率
        100 MHz
      • 集電極電流
        2 A
      • 集電極截止電流
        20 nA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@1A,20mA
        170 mV
      • 集電極-基極電壓
        12 V
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        12 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        12 V
      • 配置
        Single
      • 轉(zhuǎn)換頻率
        100 MHz
      • 電流增益 hFE@800mA,1.5V
        100
      • 極性
        PNP
      • 晶體管類型
        PNP
      • 增益帶寬乘積
        100 MHz
      • 發(fā)射極 - 基極電壓
        -5 V
      • 功率耗散
        450 mW
      • 擊穿電壓
        12 V
      • 元件數(shù)量
        1

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        6
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOT-363-6(SC-70-6)

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • 無鹵素
        Halogen Free
      • RoHS
        Yes

      NSS12200WT1G EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      NSS12200WT1G 數(shù)據(jù)手冊

      NSS12200WT1G 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Farnell

        Farnell

      • Digikey

        Digikey