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      Vishay

      SQM120N10-3M8_GE3

      MOSFET N-CH 100V 120A TO263

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      SQM120N10-3M8_GE3 器件參數

      Function

      • 連續漏極電流
        120 A
      • 輸入偏置電容
        7.23 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        100 V
      • 漏源導通電阻@10V,20A
        3.8 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        3.5 V
      • 柵極電荷
        190 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 功率耗散
        375 W

      Physical

      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        TO-263-2

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

      SQM120N10-3M8_GE3 數據手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • SQM120N10-3M8_GE3
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
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