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      ON Semiconductor

      NVMFWD030N06CT1G

      MOSFET N-CH DUAL 60V SO8FL

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      NVMFWD030N06CT1G 器件參數

      Function

      • 連續漏極電流
        19 A
      • 輸入偏置電容@30V
        255 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        60 V
      • 漏源導通電阻@10V,3A
        24.7 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@13uA
        4 V
      • 柵極電荷@10V
        4.7 nC
      • 反向傳輸電容@30V
        4.4 pF
      • 功率耗散
        23 W

      Physical

      • 配置
        Dual
      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 制造商封裝
        SO-8-FL-5.9mm

      Compliance

      • RoHS
        Yes

      NVMFWD030N06CT1G EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      NVMFWD030N06CT1G 數據手冊

      NVMFWD030N06CT1G 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Farnell

        Farnell

      • Digikey

        Digikey