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      3天內不再提示

      Vishay

      SI5903DC-T1-E3

      Mosfet Array 20V 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?

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      SI5903DC-T1-E3 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        -600 mV
      • 配置
        Dual
      • 連續漏極電流
        2.1 A
      • 漏源電阻
        155 mΩ
      • 漏源電壓
        20 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -20 V
      • 漏源導通電阻
        155 mΩ
      • 柵源電壓
        12 V
      • 柵極電荷@4.5V
        6 nC
      • 晶體管類型
        2個P溝道(雙)
      • 接通延遲時間
        13 ns
      • 功率耗散
        1.1 W
      • 關閉延遲時間
        25 ns
      • 元件數量
        2
      • 下降時間
        25 ns
      • 上升時間
        35 ns
      • FET功能
        邏輯電平門

      Physical

      • 端子間距
        0.65 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數量
        1
      • 制造商封裝
        600

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        1.1 mm
      • 長度
        3.1 mm
      • 寬度
        1.7 mm

      SI5903DC-T1-E3 數據手冊

      SI5903DC-T1-E3 圖片

      • Farnell

        Farnell

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip