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      Microchip Technology

      JANTXV1N5614US

      DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

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      Function

      • 重復反向電壓
        200 V
      • 配置
        Single
      • 正向電壓
        1.3 V
      • 平均整流電流
        1 A
      • 峰值非重復浪涌電流
        30 A
      • 峰值反向電壓
        200 V
      • 反向電壓
        200 V
      • 反向漏電流
        500 nA
      • 反向恢復時間
        2 μs

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        2
      • 工作溫度
        -65 °C, 200 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Bulk
      • 制造商封裝
        MELF

      Compliance

      • 無鉛
        Contains Lead

      JANTXV1N5614US 數據手冊

      • 文檔
        標題
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        來源
      • 57cc1101edc17059f5f7dc3b2f2d378b.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

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