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Infineon

IPI60R199CPXKSA1

MOSFET N-CH 600V 16A TO262-3

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IPI60R199CPXKSA1 器件參數(shù)

Function

  • 連續(xù)漏極電流
    16 A
  • 輸入偏置電容@100V
    1.52 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    600 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@9.9A,10V
    199 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    199 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@660uA
    3.5 V
  • 柵極電荷@10V
    43 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    10 ns
  • 功率耗散
    139 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    50 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 上升時(shí)間
    5 ns

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 制造商封裝
    TO-262-3

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • RoHS
    yes

IPI60R199CPXKSA1 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

IPI60R199CPXKSA1 圖片

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