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      STMicroelectronics

      STF16N65M2

      MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP

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      STF16N65M2 器件參數

      Function

      • 連續漏極電流
        11 A
      • 輸入偏置電容
        718 pF
      • 等級
        Industrial
      • 漏源電壓
        650 V
      • 漏源導通電阻
        360 mΩ
      • 柵極電荷
        19.5 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 功率耗散
        25 W

      Physical

      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 制造商封裝
        TO-220-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      STF16N65M2 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      STF16N65M2 數據手冊

      STF16N65M2 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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      • Future

        Future