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      ON Semiconductor

      NVMFD5C650NLT1G

      MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

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      NVMFD5C650NLT1G 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        2.2 V
      • 連續(xù)漏極電流
        111 A
      • 輸入偏置電容@25V
        2.546 nF
      • 類型
        2個(gè)N溝道
      • 漏源電壓
        60 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,20A
        3.5 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@98uA
        2.2 V
      • 柵極電荷@4.5V
        48 nC
      • 晶體管類型
        2個(gè)N溝道(雙)
      • 反向傳輸電容@25V
        17 pF
      • 功率耗散
        125 W
      • FET功能
        Standard

      Physical

      • 配置
        Dual
      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        DFN-8(5x6)

      Compliance

      • RoHS
        Yes

      NVMFD5C650NLT1G EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      NVMFD5C650NLT1G 數(shù)據(jù)手冊

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        Huaqiu Chip
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        1年前
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      • 1年前
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